事件:1 月(yuè)11 日公司發布公告,預計2021 年年度實現歸屬于上市公司股東的(de)淨利潤爲40,800.00 萬元到41,300.00 萬元,與上年同期相比,将增加26,864.58 萬元到27,364.58 萬元,同比增加192.78%到196.37%。 

    功率器件景氣度持續升高(gāo),國産化(huà)進程加速:2021 年以來(lái)功率半導體行業下(xià)遊光(guāng)伏、新能源等行業需求持續向上,行業景氣度升高(gāo),國産化(huà)進程加快(kuài),産品供不應求。公司圍繞市場(chǎng)需求、客戶需求以及行業發展趨勢,積極進行研發升級與産品技術叠代,持續開發與維護供應鏈資源,不斷優化(huà)市場(chǎng)結構、客戶結構及産品結構,快(kuài)速提升屏蔽栅型功率MOSFET、IGBT 等産品的(de)銷售規模及占比,成功開拓光(guāng)伏儲能、新能源汽車等,新興市場(chǎng)及其重點客戶并實現大(dà)量銷售,最終實現經營規模和(hé)經濟效益的(de)大(dà)幅度增長(cháng)。 

    定增項目切入第三代半導體領域,有望增強公司競争力:2021 年11月(yuè)12 日公司發布《2021 年非公開發行A 股股票(piào)預案》,拟募集資金總額不超過145,000.00 萬元(含145,000.00 萬元),拟投入募集資金20,000萬元投入第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的(de)研發及産業化(huà)項目,建設周期24 個(gè)月(yuè),投資回收期(稅後,含建設期)爲 6.32 年;60,000 萬元投入功率驅動 IC 及智能功率模塊(IPM)的(de)研發及産業化(huà)項目,建設周期36 個(gè)月(yuè),投資回收期(稅後,含建設期)爲 6.41 年;50,000 萬元投入SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模塊(含車規級)的(de)研發及産業化(huà)項目,建設周期 36 個(gè)月(yuè),投資回收期(稅後,含建設期)爲 7.85 年。《2020“新基建”風口下(xià)第三代半導體應用(yòng)發展與投資價值白皮書(shū)》指出,2019 年我國第三代半導體市場(chǎng)規模爲94.15 億元,預計2019-2022 年将保持85%以上平均增長(cháng)速度,到2022 年市場(chǎng)規模将達到623.42 億元,公司有望受益新能源汽車、充電樁、光(guāng)伏逆變、5G 通(tōng)訊、激光(guāng)電源、服務器和(hé)消費電子快(kuài)充等高(gāo)端新興行業對(duì)第三代半導體的(de)新增需求。 

    拟執行股票(piào)激勵計劃,增強員(yuán)工激勵力度:公司2021 年12 月(yuè)7 日發布《2021 年限制性股票(piào)激勵計劃考核管理(lǐ)辦法(修訂稿)》,本激勵計劃首次授予的(de)限制性股票(piào)各年度業績考核目标爲第一個(gè)解除限售期2022 年公司營業收入總額不低于 16 億元,第二個(gè)解除限售期 2023年公司營業收入總額不低于 18 億元。若本激勵計劃預留部分(fēn)限制性 股票(piào)于2022 年度授出,則各年度業績考核目标同首次授予限制性股票(piào)的(de)安排一緻:若預留部分(fēn)限制性股票(piào)于2023 年度授出,則要求第一個(gè)解除限售期2023 年公司營業收入總額不低于18 億元,2024 年公司營業收入總額不低于 20 億元。員(yuán)工持股計劃有助于增強員(yuán)工激勵,提升公司競争力。 

    投資建議(yì):我們預計公司2021 年~2023 年收入分(fēn)别爲16.04 億元、21.66億元、28.16 億元,歸母淨利潤分(fēn)别爲4.1 億元、5.01 億元、6.23 億元,維持“買入-A”投資評級。 

    風險提示:定增項目不及預期;股權激勵計劃發行不及預期;行業景氣度不及預期;産品研發不及預期;市場(chǎng)開拓不及預期。